芯片半导体元器件MOS,SiC上涨,静电保护器件原厂

2022-06-10 19:03   来源: 互联网    阅读次数:3847
晶扬电子 

芯片半导体元器件MOS,SiC上涨,静电保护器件原厂 

从MOSFET产品来看,中低压小信号MOSFET价格自21Q4下行以来,目前价格已经稳定。中高压MOSFET方面,整体稳中有涨。例如,安森美150V的沟槽型产品价格保持稳定,而其500V的超级结产品价格继续保持高位。英飞凌的100V车规产品在5月环比4月有小幅上涨,显示车规需求仍较好。

 

根据CASAResearch统计的半导体器件经销商网上平均报价(元/安培)来看,SiC肖特基二极管(SBD)以及SiCMOSFET器件近年来在逐步下降,其中650VSiCSBD报价在2018~2020年的复合降幅达到25%,而650VSiCMOSFET的复合降幅为32%。由于SiC器件价格的下降,其与硅基器件的价差也在逐渐缩小。


而AMD说2022年PC市场放缓,但高性能和云计算电脑强劲,比如云计算、数据中心芯片和人工智能芯片需求增长。芯片运转核心在半导体静电保护器件,比如将来的USB4接口,将统一接口,一根线解决所有问题,变身充电设备,大屏互联,连接任意其他设备交换数据,USB 4速度是USB3.0的8倍,传输快,小体积。深圳晶扬电子专注USB接口静电防护器件的原厂。



 

深圳晶场电子针对USB4 ESD/EOS优势亮点

 

与传统的USB一样,USB4端口也是即插即用。在热插拔中及平时接触过程中,都存在静电浪涌的风险

 

由于其接口体积更加小巧,内部元器件集中化程度更高,受到静电浪涌危害的可能性会更大。因此在电路设计中需添加合适的防护器件

 

对于USB4高速接口,选择ESD/EOS保护组件时需考虑以下几点:

 

1、为了确保通过USB4传递高速信号完整性,选择该器件时需使用具有较低电容的ESD保护组件

 

2、具有较高的ESD耐电压能力,至少要承受IEC 61000-4-2中规定的8kV接触放电的ESD冲击

 

3、ESD钳位电压是比较重要参数。较低的钳位电压表示更好的保护性能。

 

为满足以上要求,深圳晶扬电子针对 USB4 ESD/EOS 推出静电保护器件其产品TT0321SA  TT0201SA





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