锁相倍频晶体振荡器的设计及国产化锁相晶振推荐-射频易商城

2022-07-09 19:03   来源: 互联网    阅读次数:2394
100MHz 超低相噪锁相倍频晶体振荡器实物调试 

锁相倍频晶体振荡器的设计

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晶体振荡器由于其良好的频率稳定度和相位噪声, 在系统中得至IJ广泛的应用; 压控晶体振荡器虽然调频范围比较窄, 但是本文设计的锁相晶振对频率的准确度和稳定度要求比较高, 且为一个点频源, 压控晶体振荡器的良好的远端相位噪声正是锁相晶振所需要的, 因此本文选择自行设计压控晶体振荡器来满足设计要求。 本文设计的锁相晶振结合了这两方面的优点, 既能拥有良好的远端相位噪声, 又能具有锁相频率合成对杂谐波高抑制度的优点, 并且可以避过高频晶体振荡器老化性能不如低频晶体的缺点。 本文的目的是使输出信号具有良好的相位噪声性能, 可
以为系统中其他的频综源提供性能优良的参考信号。


倍频器是利用器件的非线性完成倍频的功能, 因此输出信号是输入信号的非线性函数, 可以进行泰勒展开, 展开项中不仅包含有直流与基波分量, 同时包含有高次谐波分量, 这里面除了需要的N次谐波之外, 其他的统统被称为杂散信号。 可以通过设计的方法减少谐波成分, 如直流分量, 偶次或者奇次谐波分量都可以通过设计的方法加以抑制,但是不得不说的是, 不可能将所有的杂散都通过设计抑制掉, 这就对后续的杂波抑制提出了很大的挑战: 而且由于这些杂散分量的存在, 使能量不能集中在需要的频率信息上,增大了不必要的功耗; 倍频器虽然有这些缺点, 但是相应的也有它的闪光点, 那就是输出信号近端的相位噪声特性要优于锁相倍频方法产生的信号。 影响到倍频器输出信号相位噪声恶化的因素主要由两条: 一是频率倍增带来的相噪恶化2019N, 这一点不可避免;二是闪烁噪声引起的相噪恶化。倍频器直接倍频方案虽然输出信号近端的相位噪声要优于锁相倍频方案, 但是锁相倍频方案仍然具有直接倍频方案所无法具备的优点

相倍频器输出信号远端的相位噪声锁相倍频方案的相位噪声基本上是由压控振荡器决定的, 而直接倍频方案中滤波器带宽要比锁相倍频方案中的环路带宽大得多,相应的远端相位噪声自然就没有锁相倍频方案好;
倍频器直接倍频方案中含有丰富的谐波分量, 不仅会增加不必要的功耗, 而且对后级滤波器的设计带来很大的麻烦, 会使滤波器大型化; 锁相倍频方案中环路带宽要较倍频器中滤波器窄的多, 而且可以通过增加环路滤波器阶数来提高对杂波的抑制度, 这一点也是直接倍频方案所不能拥有的特性综合考虑相位噪声特性与杂谐波抑制, 以及后续调试难度及指标要求, 本文选择锁相倍频方案设计锁相倍频晶体振荡器来解决系统参考与模块所需参考不统一的问题。


而环路远端的相位噪声基本上是由VCO来决定的, 因此这就要求压控振荡器具有良好的远端相位噪声性能, 压控晶体振荡器由于良好的远端相位噪声, 成为我们此次设计锁相晶振的选择。 锁相晶振的负载效应也是我们在设计中应该考虑到的一个问题, 当所加负载不同时, 输出信号的频率会发生一定的变化, 这就是常说的负载效应, 它被定义为空载输出频率与加指定负载输出频率之差, 严重时甚至会导致锁相环失锁。 可以在压控振荡器的输出端加一级缓冲放大, 既能改善它的带载能力, 也方便进行输出功率的调整。


120MHz 锁相晶体振荡器 推荐




    • 锁相晶体振荡器晶体振荡器
    • SPXO11C-100M-120M,120.0000MHz 锁相晶体振荡器
    • 品牌 : 天奥电子
    • 输出频率 : 120.0000MHz
    • 类别:锁相晶体振荡器
    • 工作温度:-40℃~+85℃
    • 尺寸 : SMD 7.0×5.0×2.0 mm
    • 描述:120.0000 MHz 锁相晶体振荡器,,50×50×20mm

  • 锁相晶体振荡器

    压控振荡器

    晶体振荡器

    高通滤波器

    锁相晶体振荡器

    • 品牌 : 天奥电子
    • 输出频率 : 120.0000MHz
    • 类别:锁相晶体振荡器
    • 工作温度:-55℃~+85℃
    • 尺寸 : SMD 7.0×5.0×2.0 mm
    • 描述:120.0000 MHz 锁相晶体振荡器,,50×50×20mm

    锁相晶体振荡器晶体振荡器

    锁相晶体振荡器

    • 品牌 : 天奥电子
    • 输出频率 : 120.0000MHz
    • 类别:锁相晶体振荡器
    • 工作温度:-55℃~+85℃
    • 尺寸 : SMD 7.0×5.0×2.0 mm
    • 描述:120.0000 MHz 锁相晶体振荡器,,50×50×21mm


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